Technologie clé de base de puce

Basé sur la haute efficacité énergétique UV LED Percée innovante dans la technologie de contrôle photonique sur puce, Réalisation UV LED Efficacité lumineuse de sortie de puce plus que doublé, Leading pairs 50%

Efficacité lumineuse accrue

Réalisation révolutionnaire UV LED Efficacité lumineuse de sortie de puce plus que doublé

Leader de l'industrie

Leading pairs 50%, Première place dans plusieurs concours nationaux

Innovation technologique

Première Microstructure œil papillon ultraviolet LED Technologie de réflexion sur puce et tout espace

Innovant haute efficacité énergétique UV LED Technologie de contrôle photonique sur puce

Régulation de la lumière à l'interface et structure réfléchissante dans tout l'espace par Microstructure de l'œil papillon, Une augmentation substantielle TE/TM Efficacité d'extraction de la lumière du mode

Morphologie microstructurale de l'œil de papillon d'interface

Avec microscope électronique (SEM) Microstructure observée de l'œil de papillon, Microstructures hémisphériques disposées régulièrement par recouvrement de surface, Distribution uniforme, La mesure est 3μm.

Comparaison des caractéristiques de transmission optique
Structure plane: Petit angle transmission élevée, 30°Forte baisse après
Structure des yeux de papillons de nuit: Transmission haute angle large, 90°Il y a encore une transmission significative

Transversal électrique TE Mode d'élévation de la lumière

Surface microstructurée de l'oeil papillon comparée à surface plane, Améliore considérablement l'efficacité d'extraction de la lumière, Réflexion interne totale réduite, Permet à plus de photons de s'échapper avec succès.

Niveau de structure de puce
Substrat saphir AlN
n-AlGaN MQWs
EBL p-AlGaN

Résultats technologiques et propriété intellectuelle

Les innovations basées sur la technologie des puces obtiennent de nombreuses reconnaissances au niveau national et sont hautement affirmées par les experts de l'industrie

Brevets de base

Nouvelle puce de diode électroluminescente UV profond et son procédé de préparation
Numéro de brevet: ZL201811375706. 0
Tout l'espace ODR Puce de diode à haute efficacité lumineuse ultraviolette profonde et son processus de fabrication
Numéro de brevet: ZL201910693448. 9

Papier représentant

ACS Photonics
2018, 5. 9: 3534-3540
Optics Express
2019, 27. 20: 1601-1614

Réalisations récompensées

Ministère du courrier 2023 Maker China National optoélectronique compétition professionnelle
Première place
Département des sciences et technologies 2023"Double Création"Compétition Hubei Division
Première place

Résumé des avantages techniques

Première Microstructure œil papillon ultraviolet LED Technologie de puce
Percée technologique en réflexion dans tout l'espace
Une augmentation substantielle TE/TM Mode efficacité d'extraction de la lumière
Résoudre efficacement le puzzle faible efficacité d'extraction optique dans la zone active de puits quantiques
Efficacité lumineuse plus que doublée
Leading pairs 50%