Technologies clés au cœur des matériaux épitaxiés
Innovation propose des UV de haute qualité LED Défauts de matériaux épitaxiés et techniques de contrôle des contraintes, Réalisation UV LED Densité de dislocation du matériau réduite à 3×10⁸ cm⁻², Atteindre le niveau avancé international
Contrôle de la densité de dislocation
Densité de dislocations réduite à 3×10⁸ cm⁻², Atteindre le niveau avancé international
Libération efficace du stress
Pyramide innovante nanographisation NPSS Technique de guérison par croissance épitaxiale du substrat
Reconnaissance des lauréats du prix Nobel
2014 Lauréat du prix Nobel de physique Nakamura Hautement évalué
Innovant haute qualité UV LED Défauts de matériaux épitaxiés et techniques de contrôle des contraintes
Par substrat graphique, Contrôle de l'épaisseur, Techniques de fusion de dislocations et de libération de stress, Réaliser une amélioration révolutionnaire de la qualité des matériaux épitaxiés
Topographie de surface du substrat graphique
Avec microscope à force atomique (AFM) Surface de substrat graphique observée, Présente une structure pyramidale ou conique alignée régulièrement, Distribution uniforme, Modèle idéal pour la croissance épitaxiale.
Épaisseur supérieure à 10µm
Microscope électronique à balayage (SEM) Affichage de l'image en coupe AlN Croissance des couches sur substrat saphir, Épaisseur supérieure à 10µm, Qui contient des trous d'air s'étendant verticalement.
Annihilation de la flexion lors de la fusion de dislocations
Microscope électronique à transmission (TEM) L'image montre la courbure des défauts de dislocation dans la couche épitaxiale pendant la croissance, Processus de fusion et d'annihilation, Réduit efficacement la densité des défauts.
Libération efficace du stress
Cartographie de l'espace facile (RSM) L'analyse montre l'état de contrainte et la qualité cristalline dans le matériau, Croissance épitaxiale de haute qualité grâce à une technologie efficace de libération de stress.
Résultats technologiques et propriété intellectuelle
Des innovations basées sur la technologie épitaxiale reconnues par les lauréats du prix Nobel, Et appliqué avec succès à l'ingénierie de détection par satellite
Brevets de base
Papier représentant
Résultats de l'application
Évaluation des lauréats du prix Nobel
2014 Lauréat du prix Nobel de physique Nakamura
"Cette innovation technologique promet de faire une faible densité de défauts de position sous de nouvelles méthodes de croissance et de recuit AlN/NPSS Devenir une réalité"
